| 數據名(時間) |
單位 |
起止時間 |
操作 |
| 全球集成電路產能 (季度) |
1000WSpW |
2006Q2 - 2011Q4 |
進入查看 |
| 全球集成電路產量 (季度) |
1000WSpW |
2006Q2 - 2011Q4 |
進入查看 |
| 全球集成電路產能利用率 (季度) |
% |
2006Q2 - 2011Q4 |
進入查看 |
| 全球分立電器產能 (季度) |
1000WSpW |
2006Q2 - 2011Q4 |
進入查看 |
| 全球分立電器產量 (季度) |
1000WSpW |
2006Q2 - 2011Q4 |
進入查看 |
| 全球分立電器產能利用率 (季度) |
% |
2006Q2 - 2011Q4 |
進入查看 |
| 全球半導體組件產能 (季度) |
1000WSpW |
2006Q2 - 2011Q4 |
進入查看 |
| 全球半導體組件產量 (季度) |
1000WSpW |
2006Q2 - 2011Q4 |
進入查看 |
| 全球半導體組件產能利用率 (季度) |
% |
2006Q2 - 2011Q4 |
進入查看 |
| 全球集成電路產能:MOS>=0.7μm (季度) |
1000WSpW |
2006Q2 - 2011Q4 |
進入查看 |
| 全球集成電路產量:MOS>=0.7μm (季度) |
1000WSpW |
2006Q2 - 2011Q4 |
進入查看 |
| 全球集成電路產能利用率:MOS>=0.7μm (季度) |
% |
2006Q2 - 2011Q4 |
進入查看 |
| 全球集成電路產能:MOS<0.7μm to >=0.4μm (季度) |
1000WSpW |
2006Q2 - 2011Q4 |
進入查看 |
| 全球集成電路產量:MOS<0.7μm to >=0.4μm (季度) |
1000WSpW |
2006Q2 - 2011Q4 |
進入查看 |
| 全球集成電路產能利用率:MOS<0.7μm to >=0.4μm (季度) |
% |
2006Q2 - 2011Q4 |
進入查看 |
| 全球集成電路產能:MOS<0.4μm to >=0.2μm (季度) |
1000WSpW |
2007Q4 - 2011Q4 |
進入查看 |
| 全球集成電路產量:MOS<0.4μm to >=0.2μm (季度) |
1000WSpW |
2007Q4 - 2011Q4 |
進入查看 |
| 全球集成電路產能利用率:MOS<0.4μm to >=0.2μm (季度) |
% |
2007Q4 - 2011Q4 |
進入查看 |
| 全球集成電路產能:MOS<0.2μm to >=0.12μm (季度) |
1000WSpW |
2007Q4 - 2011Q4 |
進入查看 |
| 全球集成電路產量:MOS<0.2μm to >=0.12μm (季度) |
1000WSpW |
2007Q4 - 2011Q4 |
進入查看 |
| 全球集成電路產能利用率:MOS<0.2μm to >=0.12μm (季度) |
% |
2007Q4 - 2011Q4 |
進入查看 |
| 全球集成電路產能:MOS<0.12μm to >=0.08μm (季度) |
1000WSpW |
2007Q4 - 2011Q4 |
進入查看 |
| 全球集成電路產量:MOS<0.12μm to >=0.08μm (季度) |
1000WSpW |
2007Q4 - 2011Q4 |
進入查看 |
| 全球集成電路產能利用率:MOS<0.12μm to >=0.08μm (季度) |
% |
2007Q4 - 2011Q4 |
進入查看 |
| 全球集成電路產能:MOS<0.08μm to >=0.06μm (季度) |
1000WSpW |
2009Q3 - 2011Q4 |
進入查看 |
