全球集成電路產量:MOS<0.08μm

時間范圍:2007.12 - 2009.06單位:1000WSpW數據來源:美國半導體行業協會
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下載表格數據全球集成電路產量:MOS<0.08μm 的數據如下:
序號 時間(季度) 單位:1000WSpW
注:時間后面標注“E”其對應的值為系統根據歷史數據預測所得,僅供參考。
1 2009.06 812.60
2 2009.03 618.10
3 2008.12 785.80
4 2008.09 917.20
5 2008.06 851.80
6 2008.03 698.50
7 2007.12 604.10
(停)SICAS全球產能利用率報告(季) 下的其他數據:
數據名(時間) 單位 起止時間 操作
全球集成電路產能(季度) 1000WSpW 2006.06 - 2011.12 進入查看
全球集成電路產量(季度) 1000WSpW 2006.06 - 2011.12 進入查看
全球集成電路產能利用率(季度) % 2006.06 - 2011.12 進入查看
全球分立電器產能(季度) 1000WSpW 2006.06 - 2011.12 進入查看
全球分立電器產量(季度) 1000WSpW 2006.06 - 2011.12 進入查看
全球分立電器產能利用率(季度) % 2006.06 - 2011.12 進入查看
全球半導體組件產能(季度) 1000WSpW 2006.06 - 2011.12 進入查看
全球半導體組件產量(季度) 1000WSpW 2006.06 - 2011.12 進入查看
全球半導體組件產能利用率(季度) % 2006.06 - 2011.12 進入查看
全球集成電路產能:MOS>=0.7μm(季度) 1000WSpW 2006.06 - 2011.12 進入查看
全球集成電路產量:MOS>=0.7μm(季度) 1000WSpW 2006.06 - 2011.12 進入查看
全球集成電路產能利用率:MOS>=0.7μm(季度) % 2006.06 - 2011.12 進入查看
全球集成電路產能:MOS<0.7μm to >=0.4μm(季度) 1000WSpW 2006.06 - 2011.12 進入查看
全球集成電路產量:MOS<0.7μm to >=0.4μm(季度) 1000WSpW 2006.06 - 2011.12 進入查看
全球集成電路產能利用率:MOS<0.7μm to >=0.4μm(季度) % 2006.06 - 2011.12 進入查看
全球集成電路產能:MOS<0.4μm to >=0.2μm(季度) 1000WSpW 2007.12 - 2011.12 進入查看
全球集成電路產量:MOS<0.4μm to >=0.2μm(季度) 1000WSpW 2007.12 - 2011.12 進入查看
全球集成電路產能利用率:MOS<0.4μm to >=0.2μm(季度) % 2007.12 - 2011.12 進入查看
全球集成電路產能:MOS<0.2μm to >=0.12μm(季度) 1000WSpW 2007.12 - 2011.12 進入查看
全球集成電路產量:MOS<0.2μm to >=0.12μm(季度) 1000WSpW 2007.12 - 2011.12 進入查看
全球集成電路產能利用率:MOS<0.2μm to >=0.12μm(季度) % 2007.12 - 2011.12 進入查看
全球集成電路產能:MOS<0.12μm to >=0.08μm(季度) 1000WSpW 2007.12 - 2011.12 進入查看
全球集成電路產量:MOS<0.12μm to >=0.08μm(季度) 1000WSpW 2007.12 - 2011.12 進入查看
全球集成電路產能利用率:MOS<0.12μm to >=0.08μm(季度) % 2007.12 - 2011.12 進入查看
全球集成電路產能:MOS<0.08μm(季度) 1000WSpW 2007.12 - 2009.06 進入查看
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